NAND存储器芯片被三星、东芝、SKHynix、美光、Intel等少数公司独占，中国公司在此领域没什么话语权，甚至连并购、合作外资公司都没有有可能，想要取得突破还得靠国产公司拥立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D存储器晶圆厂的加装设备将在2018年Q1季度竣工，2019年加速量产，预计2020年会在技术领先于国际领先的存储器公司。

长江存储科技前身是武汉新的芯公司，该公司去年牵头湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后该公司被紫光公司并购，变为了长江存储科技（英文全称为TMTC），武汉投资项目一期工程就是生产3DNAND存储器。国产3DNAND存储器的起点还远比较低，目前研究的是32层堆栈的3DNAND存储器，前不久长江存储CEO杨士宁声称国产3D存储器各项指标早已超过了预期拒绝。

该款存储器芯片由长江存储与（中科院）微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的率领下，顺利构建了工艺器件和电路设计的整套技术检验，向产业化道路迈进具备标志性意义的关键一步。3DNAND已完成实验室研发只是一小步，先前的大规模量产才是关键。Digitimes报导称之为长江存储科技CEO杨士宁回应3D存储器工厂的生产装备将在2018年Q1季度已完成加装，2019年则不会几乎量产。该公司的目标是在2020年时技术上超过国际领先的存储芯片供应商的水平。

杨士宁回应了NAND存储器市场需求正在被云计算、智能终端所推展，同时中国市场也具备很大的发展潜力。不论是DRAM内存还是NAND存储器市场，目前都被极少数厂商所统治者，杨士宁回应长江存储科技期望超越少数公司对市场的独占，该公司转入市场将为业界带给良性竞争。

中国市场消耗了全球55％的存储芯片生产能力，杨士宁称之为在强劲的市场需求及中国政府的财政反对下，长江存储科技公司将强化对现有几家存储芯片公司的竞争力。要想要取得持久的顺利，享有自己的核心是技术也是十分关键的，长江存储科技公司目前就在这么做到。杨士宁称之为并购或者战略投资也是该公司构建快速增长的另一个自由选择。

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